多晶3C-SiC薄层的淀积生长及结构性能分析

摘要：

采用HFCVD生长法, 以较低生长温度, 在Si(111)衬底上淀积3C-SiC(111)薄层. 用XRD、 VASE、 XPS等分析手段研究了薄层的结构、光学常数、组分及化学键等性能. XRD显示薄层具有明显的择优取向特征. VASE测量出薄层的折射率为2.686, 光学常数随深度的变化曲线反映出薄层的多层结构. XPS深度剖面曲线表明薄层中Si/C原子比符合SiC的理想化学计量比, 其能谱证明C 1s与Si 2p成键形成具有闪锌矿结构的3C-SiC.

关键词：碳化硅、薄层、淀积、结构

所属期刊栏目：14

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：中国科学院资助项目69876030

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：331-334