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10.3969/j.issn.1672-9315.2005.02.015

电致发热SiC多孔陶瓷导电性能研究

引用
研究了Al,B和Zr元素对电致发热多孔碳化硅陶瓷导电性的影响.室温电阻率测定表明,加入Al,B和Zr都可显著降低电致发热多孔碳化硅陶瓷的电阻率,随着Al,B和Zr加入量的增加,试样的室温电阻率下降.讨论了Al,B和Zr在碳化硅中的存在形式,并分析了试样的导电机理.

电致发热、碳化硅、多孔陶瓷、导电机理

25

TB383(工程材料学)

2005-08-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

190-193

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西安科技大学学报

1672-9315

61-1434/N

25

2005,25(2)

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