10.3969/j.issn.1672-9315.2005.02.015
电致发热SiC多孔陶瓷导电性能研究
研究了Al,B和Zr元素对电致发热多孔碳化硅陶瓷导电性的影响.室温电阻率测定表明,加入Al,B和Zr都可显著降低电致发热多孔碳化硅陶瓷的电阻率,随着Al,B和Zr加入量的增加,试样的室温电阻率下降.讨论了Al,B和Zr在碳化硅中的存在形式,并分析了试样的导电机理.
电致发热、碳化硅、多孔陶瓷、导电机理
25
TB383(工程材料学)
2005-08-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
190-193