低温增强型非晶铟镓锌氧薄膜晶体管特性研究

摘要：

在室温下利用射频磁控溅射沉积非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜作为有源沟道层,分别制备了顸栅和底栅结构的薄膜晶体管(a-IGZO-TFTs)原型器件,同时研究了沟道层生长参数及后退火工艺对器件特性的影响.研究及实验结果表明:当增加底栅结构a-IGZO-TFTs器件IGZO沟道层氧气流量时,器件输出特性由耗尽型转变为增强型;当沟道宽长比为120:20时,获得了4.8×105的开关电流比,亚阈值摆幅为1.2 V/dec,饱和迁移率达到11 cm2/(V·s).沟道层氧气流量为2 cm3/min的底栅结构a-IGZO-TFT器件在大气中经过300℃退火30 min后,器件由耗尽型转变为增强型,获得4×103的开关电流比.

关键词：薄膜晶体管、非晶铟镓锌氧化物、输运特性、磁控溅射沉积

所属期刊栏目：49

分类号：TN321.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目10904121;陕西省自然科学基金资助项目2015JM6281;教育部回国留学人员启动基金资助项目10回国基金11

在线出版日期：2016-01-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1-5,18