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10.7652/xjtuxb201510016

金属二次电子发射能谱的表面吸附势垒模型

引用
为了改善加速器和高功率微波源中金属器壁的表面状况,采用数学建模并结合实验验证的方法,建立了二次电子能谱的吸附势垒模型.首先,以到达金属内表面二次电子为参考对象,分析金属壁的吸附过程,发现水蒸气吸附造成的能级扭曲会使金属表面势垒降低,由此建立了水吸附形态下的薛定谔方程,并求解得到吸附势垒的透射系数;然后,结合内二次电子能量分布建立吸附势垒模型,得到二次电子能谱特征参数与吸附量的定量关系.模型分析结果表明:吸附量的增加会引起表面势垒的降低,从而导致金属器壁二次电子发射增强,能谱变窄,加剧电子云效应;通过加热、氩离子清洗等手段可减少或去除加速器壁水蒸气吸附,抑制器壁表面二次电子发射.实验对比发现,离子清洗可减少吸附量,使Ag样品的吸附度从初始值0.5降至0,伴随能谱半峰宽从5.17 eV展宽至12.5 eV.

二次电子发射、二次电子能谱、吸附、表面势垒、透射系数

49

TN16;O462(真空电子技术)

国家自然科学基金资助项目11375139,11175140;空间微波技术国家重点实验室基金资助项目9140C530101130C53013

2015-11-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

97-102

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西安交通大学学报

0253-987X

61-1069/T

49

2015,49(10)

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