围栅金属氧化物半导体场效应管电流模型

摘要：

针对深亚微米级围栅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)处于堆积或反型时自由载流子对表面势影响显著的问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET表面势和电流解析模型.考虑耗尽电荷和自由栽流子的影响,采用逐次沟道近似法求解电势泊松方程,得到围栅MOSFET从堆积到耗尽,再到强反型的表面势模型,最后通过源漏两端的表面势得到了围栅器件从线性区到饱和区的连续电流模型,并利用器件数值仿真软件Sentaurus对表面势和电流模型进行了验证.研究结果表明,表面势在堆积区和强反型区分别趋于饱和,在耗尽区和弱反型区随栅压的增加而增加,同时漏压的增加将使得沟道夹断,此时表面势保持不变.增加掺杂浓度导致平带所需的负偏压变大,表面势增加.与现有的阈值电压模型相比,该模型的精确度提高了16%以上.

关键词：围栅、载流子、表面势、漏电流

所属期刊栏目：44

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目10771168;陕西省科技计划资助项目SJ08-ZT13;西安应用材料创新基金资助项目XA-AM-201008

在线出版日期：2010-12-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：57-61