射频溅射功率密度对Ga:ZnO透明导电薄膜性能的影响

摘要：

室温下利用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了掺Ga氧化锌(Ca:ZnO)多晶透明导电薄膜.通过改变磁控溅射生长过程中的溅射功率密度和靶基距,研究了多晶薄膜的透明导电性能与生长参数的相互影响关系.研究结果表明:当溅射时间相同时,随溅射功率密度的增加和靶基距的减小,Ga:ZnO薄膜的厚度增加,从而导致了薄膜导电率升高;当溅射功率密度为5.3W/cm2、靶基距为5cm时,Ga:ZnO薄膜的最小电阻率达到3.1×10-4Ω·cm.透光率测试结果表明:当溅射功率密度增加时,Ga:ZnO薄膜中紫外光学吸收发生了红移;增加溅射功率密度会造成薄膜中掺杂缺陷密度增加,产生禁带之间Urbach带尾能级吸收效应;GaZnO薄膜在可见光范围中的平均透光率大于80%.

关键词：透明导电薄膜、氧化锌、Urbach带尾、磁控溅射

所属期刊栏目：44

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金青年基金资助项目10904121;西安交通大学科研基金资助项目XJJ2009039

在线出版日期：2010-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：58-62