Si中30°部分位错弯结-重构缺陷运动特性的分子模拟

摘要：

通过基于EDIP(Environment-Dependent Interatomic Potential)势函数的分子动力学模拟,得到了左弯结-重构缺陷(LC)和右弯结-重构缺陷(RC)在1个周期内通过稳定状态之间的相互转化来实现运动的具体过程,同时给出了LC和RC在不同温度和剪应力作用下的运动速度曲线.通过NEB(Nudged Elastic Band)方法结合紧束缚势函数,计算出了LC和RC在1个周期内的迁移势垒,验证了分子动力学结果的正确性.计算结果表明,含有重构缺陷(RD)的LC和RC相对于左弯结和右弯结具有较快的运动速度,验证了之前得出的RD对30°部分位错的运动具有加速作用的结论,并且通过对弯结运动过程中微观结构的分析,从微观尺度上对这一结论进行了解释.

关键词：部分位错、分子动力学、弯结-重构缺陷、迁移势垒

所属期刊栏目：43

分类号：O411.3;O474(理论物理学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目10772062

在线出版日期：2009-06-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：124-127,132