一种非对称双原子分子的电子位移极化率计算模型

摘要：

分析了经典的电子位移极化率的计算模型,指出了这些经典模型在计算非对称双原子分子模型时存在局限性,提出了一种针对非对称双原子分子的电子位移极化率的计算模型.该模型考虑了分子内原子偶极矩对电子位移极化的影响,推导了宏观电场与分子轴平行、垂直、呈任意夹角等典型情况下的非对称双原子分子的电子位移极化率的数学模型.根据该模型计算了六方氮化硼(h-BN)晶体的电子位移极化率,并与经典模型的计算结果进行了比较,进一步分析了所提出模型的适用范围.

关键词：电子位移极化率、偶极矩、宏观电场

所属期刊栏目：43

分类号：TM281(电工材料)

资助基金：国家安全重大基础研究资助项目51318010101;教育部科学技术研究重点资助项目106144

在线出版日期：2009-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：90-94