集成电路钝化层薄膜的纳米力学性质研究

摘要：

利用等离子体增强化学气相淀积工艺在p型单晶硅(111)衬底上制备了厚度为70、150、450nm的SiO2薄膜和100、170、220 nm的Si3N4薄膜,并使用纳米压入仪对薄膜进行了纳米力学测试与分析.薄膜在不同载荷下的硬度和弹性模量计算采用Oliver-Pharr方法.在测量两种薄膜的硬度时没有发现压痕尺寸效应.SiO2薄膜的弹性模量与压入深度的依赖关系不明显,但与薄膜厚度的依赖关系较明显,薄膜厚度的增加将导致弹性模量显著减小,而Si3N4的弹性模量与薄膜厚度的依赖关系不明显,但与压入深度的依赖关系较明显,会随着压入深度的增加而逐渐增加到某一定值.

关键词：薄膜、等离子体增强化学气相淀积、二氧化硅、氮化硅、纳米硬度、弹性模量

所属期刊栏目：42

分类号：TB3(工程材料学)

资助基金：上海市科委科研计划资助项目0552nm049;上海市重点学科建设资助项目B113

在线出版日期：2009-01-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1345-1349