沉积位置对化学气相沉积SiC涂层微观组织的影响

摘要：

利用化学气相沉积法在C/C复合材料表面制备了SiC涂层,并借助扫描电子显微镜和X射线衍射等手段对不同位置沉积产物的微观形貌、相组成以及厚度进行了测试.推导出了沉积位置与反应气源过饱和度的定性关系,分析了反应气源过饱和度对SiC涂层形貌、晶粒尺寸以及涂层厚度的影响.研究结果表明:沿着沉积炉内气体流动的方向,反应气源的过饱和度逐渐降低,沉积所得β-SiC涂层形貌由颗粒状向须状转变,晶粒尺寸与涂层厚度逐渐减小.

关键词：沉积位置、化学气相沉积、SiC涂层、微观组织

所属期刊栏目：39

分类号：TB332(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金50225210;航空科研项目03H53044;高等学校博士学科点专项科研项目20030699011

在线出版日期：2005-02-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：49-52