基于硅隔离技术的耐高温压力传感器研究

摘要：

采用硅隔离SoI(Silicon on Insulator)技术,应用高能氧离子的注入方法,在单晶硅材料中形成埋层二氧化硅,用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成的漏电流.采用梁膜结合的压力传递机构,将被测压力与SoI敏感元件隔离开来,因此避免了被测压力的瞬时高温冲击.给出了传感器的结构模型和实验数据,测试结果表明,这种新型结构的耐高压力传感器,具有较好的动静态特性.

关键词：硅隔离、压力传递机构、耐高温

所属期刊栏目：36

分类号：TS103.6(纺织工业、染整工业)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划101-01

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1156-1158