氘化、氟化对塑料光纤损耗性能的影响

摘要：

利用Morse势能理论,计算了不同化学键CX(X分别为H、D、F)的振动吸收损耗,发现在波长小于3 000 nm时,CH键的损耗最大,CD键的次之,CF键的最小;在波长大于3 000 nm时,CF键的损耗超过CD键的.因为塑料光纤本征损耗主要是CH键的振动吸收损耗,如果用D、F替代塑料光纤材料中CH的H,CX在可见光区及红外光区的振动吸收损耗就能显著降低.利用氘化、氟化的聚合物材料可制备出损耗小于1 0 dB/km的低损耗塑料光纤.研究结果为降低塑料光纤损耗提供了新的理论依据.

关键词：塑料光纤、损耗、氘化、氟化

所属期刊栏目：35

分类号：O632;TN929.11(高分子化学（高聚物）)

资助基金：面向21世纪教育振兴行动计划985计划

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1215-1218,1231