10.3321/j.issn:0253-987X.2000.12.015
Si3N4陶瓷的显微结构与阻力行为
测定了2种不同显微结构的Si3N4材料的阻力行为,并对裂纹扩展过程中的裂尖尾区闭合应力进行了估算.研究发现:Si3N4陶瓷的显微结构与阻力行为密切相关,长柱状β-Si3N4的R曲线较陡,而β/α双相陶瓷的R曲线较为平缓.同时,显微结构不同,裂纹尖端闭合应力也不同,因而会产生不同的R曲线.
Si3N4、显微结构、R曲线
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TQ174
西安交通大学校科研和教改项目
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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