新型紧凑硅基电光调制器研究

摘要：

设计了一种应用于微波光子学的硅基锗硅电吸收调制器。调制器基于Franz?Keldysh电吸收调制效应，通过硅基锗硅的选择外延形貌控制实现了调制器有源区单模传输和较大的限制因子。形貌控制同时可形成三维渐变耦合结构，减小了硅脊形波导与GeSi有源区波导的输入输出损耗。为了优化电学结构，调制器采用了硅和锗硅并联。设计表明，对于70μm长有源区，调制器消光比为8．4 dB，3 dB带宽50 GHz，同时具有较低的插损3．6 dB。

关键词：微波光子学、调制器、电光集成双模

所属期刊栏目：42

分类号：TN256(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金项目61308061

在线出版日期：2016-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：53-56