超深亚微米工艺下预防串扰方法

摘要：

随着工艺特征尺寸的不断缩小,芯片的信号完整性问题逐渐恶化.根据超深亚微米(ultra-deep submicron,UDSM)工艺特性,阐述了串扰噪声和同步开关噪声(Simultaneous Switch Noise,SSN)的产生机理以及对芯片信号完整性的影响,并且分析了走线密度、时钟频率和供电布局等与这2类噪声强度相关的主要因素,进而得出了在集成电路版图设计早期,有效预防和抑制信号完整性问题的一系列方法.

关键词：超深亚微米、串扰噪声、同步开关噪声、预防

所属期刊栏目：37

分类号：TN431.2(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2011-09-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：42-44