基于电导线性技术的高线性折叠CMOS LNA

摘要：

给出低噪声放大器(LNA)设计策略,即使在非常低的电源电压下设计的LNA也可以取得卓越的性能.在高电源电压下,漏极电导非线性可以忽略,但是在低电源电压下,漏极电导非线性对LNA线性度的影响不可忽略.因而,采用多栅晶体管技术线性化跨导,并且利用LC折叠共源共栅结构来得到高的漏极电导线性度.基于0.13 μm CMOS工艺对所提出的900 MHz LNA进行设计,测试结果表明,在0.6V电源供电,1.26 MW功耗消耗下,LNA取得了15 dB的增益,1.74 dB的噪声系数,3.8 dBm的输入三阶截止点.

关键词：输入三阶截止点、线性度、低噪声放大器、低供电电压、跨导非线性抵消

所属期刊栏目：35

分类号：TG409(焊接、金属切割及金属粘接)

在线出版日期：2019-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：137-140