10.3969/j.issn.1007-757X.2013.03.005
基于噪声抵消和线性度提高的差分LNA的设计
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高增益、高线性度的差分CMOS低噪声放大器.与传统的共源共栅结构相比,在共栅极上引入一对交叉耦合电容和电感,以消除共栅极的噪声并提高电路的线性度和增益.仿真结果表明,在2.45GHz的工作频率下,该电路的噪声系数仅有1.3dB,该电路能够提供17.8 dB的正向增益,良好的输入输出匹配,该放大器的输入三阶交调点为-0.9dBm,功耗小于10 mW.
低噪声放大器、线性度提高、低噪声、交叉耦合电容
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TN722.3(基本电子电路)
2013-09-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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