带保护功能的功率MOSFET驱动电路

摘要：

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通常功率场效管内部(栅-源极间)制作了一个保护用的齐纳二极管,由于该齐纳二极管的存在,也将使MOSFET管的栅极输入电容增大.因此,为了提高其开关速度,必须充分考虑栅极输入电容的影响,保证输入电容在开关过程中能很快充放电,因此,在设计功率MOSFET栅极驱动电路时,还必须使控制回路与功率MOSFET构成的主回路之间完全隔离.

机标关键词：保护功能、功率、MOSFET、齐纳二极管、栅极驱动电路、输入、电容、完全隔离、控制回路、开关速度、主回路、充放电、保护用、制作、设计、过程、管内

所属期刊栏目：37

分类号：TM301.2(电机)

在线出版日期：2009-12-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：66-67