陶瓷层孔隙对热障涂层TGO界面残余应力影响的有限元研究

摘要：

作为一种热障涂层不可避免的结构缺陷,孔隙的存在具有随机性,其分布位置会给TGO(热生长氧化层)界面残余应力带来巨大影响.为了更好地了解孔隙率对热障涂层TGO界面残余应力的影响,考虑单个孔隙对TGO界面残余应力的影响,通过改变孔隙与TGO界面的距离、孔隙位置及孔隙的尺寸,来分析TGO界面残余应力的变化情况.结果表明:当半径为5μm的圆形孔隙与TGO/TC界面距离为35μm时,孔隙几乎对TGO界面残余应力没有影响,孔隙离界面越近,对残余应力的大小及分布影响越大;距离一定时,孔隙尺寸越小对界面残余应力的影响越小.

关键词：热障涂层、孔隙率、热生长氧化层

所属期刊栏目：41

分类号：TG148;TG115.28(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金项目51675103;机械系统与振动国家重点实验室开放课题基金MSV-2018-07;上海市自然科学基金项目18ZR1414200;福建省质量技术监督局科技计划项目FJQI2014008

在线出版日期：2019-09-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：30-35