基于磁畴聚合模型的磁记忆效应机理研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1000-6656.2007.06.004

基于磁畴聚合模型的磁记忆效应机理研究

引用
研究了铁磁构件在受载时产生磁记忆效应的机理.结合试件的断裂机制和位错理论,分析了试件组织的微观变化.建立畴壁聚合模型,探讨了构件形成的有取向的宏观磁化.在应力集中区域或微观损伤区域建立带磁偶极子模型,计算试件表面的泄漏磁场.结果表明,畴壁聚合模型可以解释应力集中区域或微观损伤区域的磁场变化.

磁记忆检测、磁畴聚合模型、基础理论分析

29

TG115.28(金属学与热处理)

江西省教育厅资助项目赣教技字05-312号;无损检测技术重点实验室开放基金ZD200629001;江西省教育厅科研项目赣教技字[2006]172号

2007-09-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

312-314,361

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

无损检测

1000-6656

31-1335/TG

29

2007,29(6)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn