表面开口缺陷深度与漏磁场的关系

摘要：

由磁偶极子理论证明,表面开口缺陷引起的漏磁场H正比于(d/2-kδ),其中d是缺陷深度,而δ是取决于工件和缺陷横截面的形状与尺寸的一较小长度,k是一个系数,它取决于缺陷侧壁上的磁荷分水岭.从而可以得出结论,当d很小时,H与d间近似为线性关系;而d增大时,它们之间则呈非线性关系.

关键词：磁性检测、表面开口缺陷、缺陷深度、漏磁场

所属期刊栏目：27

分类号：TG115.28(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金59571064

在线出版日期：2005-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：529-531