10.13250/j.cnki.wndz.2020.12.001
碳基纳电子的新进展(续)
4 GFET MMIC
大面积的CVD和外延石墨烯材料以及RF GFET的进展为石墨烯单片集成电路(MMIC)的发展奠定了材料和器件基础,由于石墨烯器件具有特有的双极性能、高电子迁移率、二维电子气、弹道输运以及独特的电子和机械性能等特性,目前石墨烯电子学在混频器、放大器、THz探测器、弹道整流器和柔性电路等五方面已有长足进步.
纳电子、新进展
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TN301;O471.1(半导体技术)
2021-02-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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