具有高击穿电压的AlN背势垒AlGaN/GaN/AlN HEMT材料

摘要：

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在4英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石衬底上制备了1.2 μm厚的AlN背势垒的AlGaN/GaN/AlN双异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其AlGaN势垒层表面粗糙度(RMS)、二维电子气(2DEG)迁移率以及HEMT材料的弯曲度都较为接近于常规的高阻GaN背势垒结构的HEMT材料.由于AlN晶格常数较小,具有AlN背势垒的HEMT材料受到了更大的压应力.通过对比分析两种HEMT材料所制备的器件发现,受益于AlN背势垒层更高的禁带宽度和临界电场,由AlN背势垒HEMT材料所制备的器件三端关态击穿电压为常规高阻GaN背势垒HEMT器件的1.5倍,缓冲层漏电流则较常规高阻GaN背势垒HEMT器件低2～3个数量级.

关键词：氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、背势垒、高电子迁移率晶体管(HEMT)

所属期刊栏目：56

分类号：O475;TN304.07(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;国家重点研发计划

在线出版日期：2019-10-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：704-708,719