β-Ga2O3材料在半导体技术领域的应用现状

摘要：

单斜晶系氧化镓(β-Ga2O3)超宽带半导体材料具有优良的电学、光学特性以及较高的物理化学稳定性,在大功率器件、紫外探测器以及气体传感器等技术领域具有巨大的应用前景,近年来已成为国际研发的热点.概述了β-Ga2O3半导体材料的特性优势.综述了β-Ga2O3在功率半导体器件、紫外探测器、气体传感器、衬底材料以及GaN器件栅介质领域的研发和应用现状.最后,分析了β-Ga2O3材料在半导体技术领域的应用前景,指出大功率半导体器件领域和日盲深紫外探测器领域将是未来发展的重要方向.

关键词：Ga2O3、β-Ga2O3功率器件、β-Ga2O3紫外探测器、β-Ga2O3气体传感器、Ga2O3衬底

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分类号：TN304.21;TN323.4;TN36;TP212(半导体技术)

在线出版日期：2018-12-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：870-877,916