新型阻挡层材料钌的研究进展

摘要：

随着集成电路特征尺寸不断缩小到14 nm及以下,钌凭借其低的电阻率、对铜高的依附性而被考虑替代传统阻挡层材料Ta/TaN.但是,钌作为阻挡层材料依然存在很多问题,如低去除速率、容易引起铜的界面腐蚀、铜钌去除的不均匀性.针对以上问题,主要从三个方面介绍了近几年的研究进展.首先,介绍了氧化剂及络合剂对钌去除速率的影响;然后,总结了针对铜钌界面腐蚀问题的研究进展;最后,阐述了国内外解决铜钌去除速率选择性问题的研究进展.此外,提出未来新型阻挡层钌的抛光液的研究应综合解决上述问题,而非单一解决,才能真正应用于生产领域.

关键词：钌(Ru)、化学机械抛光(CMP)、去除速率、电偶腐蚀、去除速率选择性

所属期刊栏目：55

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家中长期科技发展规划2009ZX02308

在线出版日期：2018-12-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：863-869