10.3969/j.issn.1671-4776.2013.10.006
化学刻蚀硅中电荷转移和纳米结构的形成
Turner机理对于化学刻蚀中多孔硅形成的描述中,并未对表面活性数据和纳米结构的形成进行详细解释.通过研究发现氧化物在纳米多孔硅薄膜的形成中并不起重要作用,基于对化学刻蚀和纳米结构形成机理的理解提出了刻蚀溶液选择的七条规则.使用这七条规则尝试了三种新的含有Fe3+,VO2+和Ce4+的刻蚀溶液并证实能有效制备多孔硅.这些溶液可以避免由硝酸盐/亚硝酸盐为基础的刻蚀溶液所造成的问题,其优点包括无需活化、诱导时间缩短以及厚度均一膜的可重复性,因而是化学刻蚀工艺中一个重要的进展.
电化学、化学刻蚀、纳米多孔硅薄膜、电荷转移、电解抛光
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TN305.2(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目61107027
2013-11-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
639-645