纳米CMOS电路的单粒子瞬态影响因素研究

摘要：

进入纳米尺度后,单粒子瞬态(SET)成为高能粒子入射VLSI产生的重要效应,准确、可靠的SET模拟对评估VLSI的可靠性有着重要的影响.以反相器为例,针对脉冲峰值和半高全宽两个指标,研究了电路模拟中影响SET的因素,主要有电流脉冲幅值、脉冲宽度、负载电容、环境温度及器件尺寸.通过对45和65 nm两种技术节点下的电路的仿真,研究了这些因素对SET的影响,并探讨了可能的原因.结果显示,这些因素对SET的影响趋势和程度有很大的差异,且器件尺寸越小,这些因素对SET的影响越显著.通过设置合适的参数,可以实现电路的抗辐射加固.

关键词：单粒子瞬态、纳米CMOS、电路模拟、影响因素、加固

所属期刊栏目：50

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61172043;陕西省自然科学基础研究重点资助项目2011JZ015

在线出版日期：2013-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：6-10,68