10.3969/j.issn.1671-4776.2012.08.011
碱性抛光液中H2O2对铜布线CMP的影响
化学机械平坦化(CMP)过程中,抛光液的化学作用对平坦化效果起着不可替代的作用.介绍了碱性抛光液中氧化剂(H2O2)对铜布线CMP的作用:H2O2对铜的强氧化性可以将铜氧化为离子状态,然后在螯合剂的螯合作用下快速去除铜膜;H2O2对铜的钝化作用可以保护凹处铜膜不被快速去除,从而有效降低高低差.此外,还研究了碱性抛光液中不同H2O2浓度对铜的静态腐蚀速率、动态去除速率及铜布线平坦化结果的影响.研究表明:抛光液对铜的静态腐蚀速率随H2O2浓度的增大逐渐降低然后趋于饱和;铜的动态去除速率随H2O2浓度的增大而逐渐降低;抛光液的平坦化能力随H2O2浓度的增大逐渐增强再趋于稳定.
铜布线、化学机械平坦化(CMP)、碱性抛光液、H2O2、高低差
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TN305.2(半导体技术)
国家中长期科技发展规划2009ZX02308
2012-11-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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