10.3969/j.issn.1671-4776.2012.03.011
铌酸锂干法刻蚀的研究进展
概述了近年来国内外对铌酸锂(LN)晶体干法刻蚀技术的研究进展.根据刻蚀原理和特点,现有的LN干法刻蚀技术可分为等离子体刻蚀、激光微加工技术和Ti扩散电化学刻蚀.对各刻蚀方法及其研究进展进行了总结,分析了不同干法刻蚀方法之间的区别和联系,并对各方法中存在的问题进行了探讨.其中等离子体刻蚀技术由于其良好的图形转移特性,得到了最广泛的应用;激光微加工技术在制备光子晶体结构和微光栅结构中具有独特的优势;Ti扩散电化学刻蚀LN为制备大尺寸的LN基结构指明了新的方向.
集成光学、光学器件、铌酸锂、干法刻蚀、反应离子刻蚀
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TN305.7;TH703(半导体技术)
国家自然科学基金;中国科学院"百人计划"
2012-05-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共11页
197-207