S波段大功率SiC MESFET的设计与工艺制作

摘要：

针对SiC功率金属半导体场效应晶体管如何在实现高性能的同时保证器件长期稳定的工作,从金属半导体接触、器件制造过程中的台阶控制、氧化与钝化层的设计及器件背面金属化实现等方面进行了分析；并结合具体工艺,对比给出了部分实验结果.从测试数据看,研制的微波SiC MESFET器件性能由研制初期在S波段瓦级左右的功率输出及较低的功率增益和功率附加效率,达到了在实现大功率输出的条件下,比Si器件高的功率增益和30％以上的功率附加效率,初步体现了SiC MESFET微波功率器件的优势,器件的稳定性也得到了提升,为器件性能和可靠性的进一步提升奠定了设计和工艺基础.

关键词：碳化硅(SIC)、金属半导体场效应晶体管(MESFET)、功率、微波、S波段

所属期刊栏目：48

分类号：TN386.3;TN304.2(半导体技术)

在线出版日期：2012-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：558-561,582