温度控制装置中的InSb-In磁敏电阻

摘要：

研究了InSb-In共晶体薄膜磁敏电阻(MR)的温度特性,并把这种磁敏电阻应用到温度控制领域,设计了一种基于InSb-In磁敏电阻的温度控制器,由InSb-In磁敏电阻温度采集电路、信号处理电路和控制执行电路三部分组成.实验结果表明,InSb-In磁敏电阻材料同其他温敏元件材料一样,具有很好的温度特性,其温度特性与热敏电阻NTC极为相近;用InSb-In磁敏电阻材料制作的温控器具有灵敏度高、控温范围宽的优点,在低温区其灵敏度可以高于30 mV/℃,常温下也可达到23 mV/℃左右.同时它还具有稳定性强、可靠性好、受环境因素影响小、结构简单紧凑、价格低廉、对材料要求低等诸多优点,是一种值得推广应用的新型材料温度开关.

关键词：InSb-In共晶体薄膜、磁敏电阻、温度特性、温控器、灵敏度

所属期刊栏目：45

分类号：TN304.23;TM544;TN379(半导体技术)

在线出版日期：2009-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：734-737