各向异性腐蚀制备纳米硅尖

摘要：

采用KOH溶液各向异性腐蚀单晶硅的方法制备高纵横比的纳米硅尖,研究了腐蚀溶液的浓度、添加剂异丙醇(IPA)对硅尖形状的影响.设计了硅尖制作的工艺流程,制备了形状不同、纵横比值为0.52～2.1的硅尖,并结合晶面相交模型,提出了硅尖晶面的判别方法,讨论了实验中出现的{411}和{331}晶面族两种硅尖晶面类型,实验结果和理论分析相一致.通过分析腐蚀溶液的质量分数和添加剂对{411}、{331}晶面族腐蚀速度的影响,得到了制备高纵横比纳米硅尖的工艺参数.实验结果表明:当正方形掩模边缘沿<110>晶向时,在78℃、质量分数40%的KOH溶液中腐蚀硅尖,再经980℃干氧氧化3 h进行锐化削尖,可制备出纵横比大于2、曲率半径达纳米量级的硅尖阵列.

关键词：硅尖、各向异性、氧化削尖、晶面、掩模

所属期刊栏目：45

分类号：TN305.2;TN304.12(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金90607002

在线出版日期：2009-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：724-728