X波段大功率GaN HEMT的研制

摘要：

在研制了A1GaN/GaN HEMT外延材料的基础上,采用标准工艺制作了2.5 mm大栅宽A1GaN/GaN HEMT.直流测试中,Vg=0 V时器件的最大饱和电流Ids可达2.4 A,最大本征跨导Gmax为520 mS,夹断电压Voff为-5 V;通过采用带有绝缘层的材料结构及离子注入的隔离方式,减小了器件漏电,提高了击穿电压,栅源反向电压到一20 V时,栅源漏电在10-6A数量级;单胞器件测试中,Vds=34 V时,器件在8 GHz下连续波输出功率为16 W,功率增益为6.08 dB,峰值功率附加效率为43.0%;2.5 mm×4四胞器件,在8 GHz下,连续波输出功率42 W,功率增益8 dB,峰值功率附加效率34%.

关键词：氮化镓基高电子迁移率晶体管、X波段、输出功率、功率增益、功率附加效率

所属期刊栏目：45

分类号：TN386.2;TN323.4(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）51327030201

在线出版日期：2008-08-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：318-321