10.3969/j.issn.1671-4776.2007.06.002
可制造性设计在纳米SOC中的应用和发展
随着图形特征尺寸的不断缩小、集成度的不断提高,集成电路已进入纳米系统芯片(SOC) 阶段,摩尔定律依靠器件尺寸缩小得以延续的方式正面临着众多挑战.分析了纳米SOC中影响性能和良品率的关键效应及相应的措施.从半导体产业链的发展演变指出了可制造性设计(DFM)是纳米SOC阶段提高可制造性与良品率的解决方案.与光刻性能相关的分辨率增强技术(PET)是推动DFM发展的第一波浪潮,下一代的 DFM 将更注重良品率的受限分析及设计规则的综合优化.综述了 DFM 产生的历史及发展的现状,并对其前景进行了展望.
可制造性设计、分辨率增强技术、系统芯片
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TN402;TN405(微电子学、集成电路(IC))
国家自然科学基金;国家自然科学基金
2007-07-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
282-288