半导体硅上激光诱导选择性化学镀铜

摘要：

利用YAG脉冲激光在n型硅基底上制备出了铜化学镀薄层,由激光剥离形成的微型图元通过化学镀铜工艺在硅基底上形成铜的微型结构.在化学镀工艺过程中为了使得化学镀铜沉积能够连续进行,要对基底表面先进行活化.实验表明,预处理及其后的清洗工艺对选择性镀膜质量影响很大;采用丙酮或硝酸水清洗,有助于获得清晰的微型图元结构.

关键词：微型图元、激光、化学镀、活化、选择性镀膜

所属期刊栏目：43

分类号：TN304.12;TQ153.14(半导体技术)

资助基金：国家科技攻关计划2003AA404160

在线出版日期：2006-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：150-153