表面态对GaN HEMT电流崩塌效应影响的研究

摘要：

针对GaN HEMT电流崩塌物理效应,测试了各种条件下器件I-V特性.发现在栅脉冲条件下器件最大漏输出电流减小了23.8%,且随着栅脉冲宽度减小或周期增大而下降,并且获得了其输出电流与脉冲宽度W和周期T的定量关系;在漏脉冲测试条件下,器件输出电流有所增 大,并随着脉冲宽度减小而缓慢增大.实验结果,可用器件栅漏之间表面态充放电的原理来解释所观察到的测试现象和电流崩塌物理.

关键词：GaN高电子迁移率晶体管、电流崩塌、脉冲测试、表面态

所属期刊栏目：43

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：中国科学院项目（非规范项目）60072004

在线出版日期：2006-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：121-124