半导体中电子和空穴的共有化运动与霍尔电压

摘要：

霍尔效应被应用于测定半导体的载流子种类(电子或空穴)时,空穴的移动在本质上往往被理解为束缚电子的移动,那么同样是电子的移动,却能产生相反的霍尔电压,引发学习者在理解上的困惑.本论文首先阐述了这个问题的由来,并介绍了利用电子有效质量是如何有效解决这个矛盾的观点;最后,笔者从量子力学的角度出发,运用半导体中电子和空穴共有化运动的思想,试图用更加通俗的方式来理解这个问题,以便于学习者能更加深刻、全面地理解霍尔效应和霍尔电压的由来.

关键词：霍尔电压、半导体载流子、有效质量、共有化运动

所属期刊栏目：27

分类号：O4 ;TB3

资助基金：广东省自然科学杰出青年基金2015A030306031;国家自然科学基金51402218;广东高校创新团队建设项目2015KCXTD025;五邑大学青年基金项目2013zk05,2014td01;五邑大学教研教改项目YJS-JGXM-14-05,JG2013013

在线出版日期：2017-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：53-56