转角双层石墨烯中的势杂质效应

摘要：

近年来,平带在转角双层石墨烯(TBG)中的发现引起了越来越多的关注.在这项工作中,我们报告了我们对这个平带系统中杂质效应的研究,这对于真实材料来说是一个重要问题.通过采用Lanczos递归方法,我们求解了杂质附近的局域态密度(LDOS).我们发现,对于大尺寸的杂质,一系列束缚态在杂质内部形成,LDOS 中平带所对应的峰在杂质边界附近被压制,而在杂质内部由于杂质势的作用而发生平移.随着杂质尺寸变小,其对平带的影响变弱,这符合其大尺寸Wannier函数的预期.这个特性与通常具有小尺寸局域Wannier轨道的平带系统有所不同,表明TBG中的平带对小尺寸杂质更加稳定.

关键词：杂质效应、转角双层石墨烯、局域态密度、平带

所属期刊栏目：43

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

在线出版日期：2023-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：151-160