GaN基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用

摘要：

GaN基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道耦合效应等优越的物理性质,是发展高功率微波射频器件不可替代的材料体系,也是发展高效节能功率电子器件的主要材料体系之一,在半导体自旋电子学器件上亦有潜在的应用价值.GaN基异质结构材料、物理与器件研究已成为当前国际上半导体科学技术的前沿领域和研究热点.本文从GaN基异质结构的外延生长、物理性质及其电子器件应用三个方面对国内外该领域近年来的研究进展进行了系统的介绍和评述,并简要介绍了北京大学在该领域的研究进展.

关键词：GaN基宽禁带半导体、外延生长、二维电子气、输运性质、自旋性质、GaN基电子器件

所属期刊栏目：37

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：感谢国家科技重点专项2016YFB0400100、2016YFB0400200;国家重点基础研究发展计划项目2013CB921901、2013CB632804;国家自然科学基金11634002、61521004、61361166007、61376095、61522401、61574006、61204099;北京市科技计划项目Z151100003315002对本文涉及工作的大力支持

在线出版日期：2017-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共17页

页码：81-97