快恢复二极管的发展

摘要：

二极管作为最基本的器件，在电子电路中的应用非常广泛。而随着 IGBT 和 MOS 管等器件的发展，对二极管的方向恢复性能的要求越来越高。本文介绍了提高快恢复二极管恢复特性的两种主流技术的发展，即载流子寿命控制技术和发射极效率控制技术。并通过仿真对阳极发射效率控制技术进行了验证，最后对SiC材料的二极管进行了介绍和展望。

关键词：快恢复二极管、载流子寿命控制、发射极效率、碳化硅二极管

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金项目，项目号51277060国家国际科技合作专项项目，项目号2013DFB60250

在线出版日期：2014-11-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：226-234