氧化物稀磁半导体的研究进展

摘要：

稀磁半导体是一种能同时利用电子的电荷和自旋属性,并兼具铁磁性能和半导体性能的自旋电子学材料。本文主要介绍ZnO、In2O3等氧化物稀磁半导体的研究进展,一是从实验角度介绍其制备、结构、磁性、电输运性质等特性;二是从理论角度对其磁交换能、电子结构、居里温度和磁性产生的机制进行阐述;三是在稀磁半导体的基础上进一步延伸,介绍其相关的异质结构的磁电阻效应,并在文章的最后对氧化物稀磁半导体的研究进行总结和展望。

关键词：氧化物稀磁半导体、自旋注入、异质结构

所属期刊栏目：32

分类号：O472.5;O472.4(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金项目51025101,51101095,11104173;教育部博士点基金项目20101404120002;山西省各类基金项目2011021021-1,2011021021-2,晋教科函[2010]20号,晋留管办发[2010]14号的共同支持

在线出版日期：2012-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共34页

页码：199-232