MgO单晶势垒磁性隧道结的第一性原理计算和实验研究

摘要：

在MgO单晶势垒磁性隧道结中发现的室温高隧穿磁电阻现象,是近些年自旋电子学以及磁性隧道结磁电阻材料研究中的又一重大突破.本文主要评述和介绍2001年以来MgO单晶势垒磁性隧道结第一性原理计算和实验上的重要进展,以及介绍利用Layer-KKR第一性原理计算方法研究的Fe(001)/MgO/Fe、Fe(001)/FeO/MgO/Fe、Fe(001)/Mg/MgO/Fe、Fe(001)/Co/MgO/Co/Fe和Fe(001)[MgO/Fe/MgO/Fe等基于单晶MgO(001)单势垒及双势垒磁性隧道结材料的电子结构和自旋相关输运性质研究的最新进展.这些第一性原理定量计算的结果,不仅从物理上增强了对MgO单晶势垒磁性隧道结的电子结构和自旋相关输运特性的了解,而且对于研究新型室温磁电阻隧道结材料及其在自旋电子学器件中的广泛应用,具有一定的参考价值.

关键词：自旋电子学、磁性隧道结(MTJ)、隧穿磁电阻(TMR)、MgO(001)单晶势垒、第一性原理计算

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分类号：O48(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展规划973计划2006CB932200和2009CB929203;国家自然科学基金10934099;50928101;50972163;中国科学院知识创新工程项目课题;王宽诚基金

在线出版日期：2010-03-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共17页

页码：375-391