Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展

摘要：

本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展.从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二维电子气浓度和迁移率的影响,同时还涉及AlGaN/GaN/AlGaN,AlGaN/AlN/GaN和AlGaN/InGaN/GaN等异质结构二维电子气性质.

关键词：Ⅲ族氮化物异质结构、二维电子气、综述、自发极化、压电极化、迁移率

所属期刊栏目：26

分类号：TN1(真空电子技术)

资助基金：中国科学院资助项目60136020;60276031;60290080;国家重点基础研究发展计划973计划G20000683;国家高技术研究发展计划863计划2002AA305304

在线出版日期：2006-07-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共19页

页码：127-145