半导体氮化铟(InN)的晶格振动

摘要：

本文总结了新型半导体InN薄膜晶格振动研究的现状,主要为Raman散射光谱及部分红外光谱的研究结果.重点内容为InN(包括六方纤锌矿结构和立方闪锌矿结构)的布里渊区中心(Γ点)声子结构、电子激发态(等离子激元)与纵光学声子耦合、无序化激发模和晶格振动模的温度、应力效应等,也涉及部分和InN有关的氮化物合金以及超晶格、量子阱和量子点等结构的晶格振动研究.同时对相关材料和结构的Raman光谱研究作了一些展望.

关键词：氮化铟(InN)、薄膜、晶格振动、Raman散射光谱、红外光谱

所属期刊栏目：23

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金NSFC10125416;教育部优秀青年教师资助计划

在线出版日期：2004-02-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共27页

页码：257-283