纳米技术与能带工程对Si基高效发光的促进

摘要：

自1991年Canham L. T发现多孔Si的强发光特性之后,Si基发光的系列性探索已走过了10年的路程.人们从中认清了一些重要的科学问题,发展和掌握了许多新的技术,也取得了许多有价值的重要进展.可以说过去的10年是处於四方探索的百花齐放阶段.现在无论从应用目标的需求和开拓研究的思路与途径,都更加明确、集中,一个有实用价值的Si基发光器件的研究高潮即将来临.本文着重评述介绍了四个方面的研究进展,即局域态nc-Si的发光,基於能带工程的Si基发光,纳米结构Si化物的发光和Ge/Si量子点的发光研究,指出了各自存在的问题,提出了若干新的研究思路.本文还把Si基发光的研究与微电子发展需求紧密结合,由此提出了下一阶段开展Si基发光研究应予遵循的几项原则.

关键词：Si基发光、能带工程、纳米结构、光电子集成

所属期刊栏目：22

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金69896260

在线出版日期：2004-02-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：359-370