同步辐射激发直接干化学刻蚀

摘要：

同步辐射激发直接光化学刻蚀是近年来发展的一项新技术,它不需要常规光刻中的光刻胶工艺,用表面光化学反应直接将图形写到半导体材料的表面上.由于所用的同步辐射在真空紫外(VUV)波段,理论上的分辨率可以达到电子学的量子极限,且没有常规工艺中的表面损伤和化学污染,是一种非常具有应用潜力的技术.本文的最后部份重点讨论了与上述技术密切相关的VUV和软X射线激发的表面光化学反应机理.

关键词：光刻、同步辐射、直接刻蚀、光化学反应

所属期刊栏目：20

分类号：O472(半导体物理学)

在线出版日期：2004-02-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共13页

页码：22-34