基于薄膜铌酸锂的模式色散相位匹配单光子源
薄膜铌酸锂光学芯片因低损耗、高非线性系数及高电光调制带宽等特性,有望成为开展集成光学量子信息研究的理想实验平台.然而,到目前为止,基于薄膜铌酸锂的单光子源普遍采用周期性极化准相位匹配技术,该技术要求精确地制备电极并对铌酸锂波导进行周期性极化,工艺复杂且对加工精度要求较高.本文提出了一种基于模式色散相位匹配的薄膜铌酸锂单光子源器件.该器件无需制作电极,具备加工简便和集成度更高的优势,同时单光子产率可达3.8 × 107/(s·mW),能够满足光学量子信息处理的需求.此器件有望替代传统准相位匹配单光子源,进一步推动基于薄膜铌酸锂芯片的光学量子信息研究的发展.
单光子源、薄膜铌酸锂、模式色散相位匹配
72
TN252;O437;TN929.11
2023-08-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
75-82