氢空位簇调控锗烷的电子结构和分子掺杂

摘要：

锗烷因其合适的带隙、较高的电子迁移速率、较好的环境稳定性、较小的电噪声和超薄的几何结构,有望取代现有硅基或锗基材料成为下一代半导体器件的理想载体.基于密度泛函理论和非平衡格林函数的第一性原理方法,研究了不同构型和浓度的氢空位簇对锗烷电子结构及锗烷中四硫富瓦烯(tetrathiafulvalene,TTF)分子掺杂性能的影响.计算结果表明,不同构型氢空位簇的引入可诱导GermananeDehydrogenated-xH(GD-xH)体系产生不同性质的磁性,且磁矩大小亦与Lieb定理的预测结果相符,并能在GD-xH(x=1,4,6)体系自旋向下的能带结构中实现由缺陷态引起的类p型半导体掺杂效应,其电子激发所需的能量则会随着体系脱氢浓度的升高而不断降低.吸附TTF分子后,G/TTF和GD-xH/TTF(x=1,2,6)体系表现出分子掺杂效应,且GD-xH/TTF(x=1,6)体系因分子轨道与缺陷态的杂化作用,可在自旋向上与自旋向下的能带结构中形成不同的掺杂类型.进一步的量子输运计算还表明,Armchair和Zigzag类型的锗烷基器件表现为明显的各向同性,且TTF分子吸附所导致的载流子掺杂可大幅提高其I-V特性.

关键词：锗烷、缺陷、分子吸附、电子性质

所属期刊栏目：72

分类号：O641;O469;TN303

资助基金：江西省自然科学基金;江西省自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;鸿之微项目

在线出版日期：2023-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：241-251