基于1,2-二氰基苯/聚合物复合材料的高耐久性有机阻变存储器

摘要：

本文报道了一种基于1,2-二氰基苯(O-DCB)与聚(3-己基噻吩)(P3HT)复合薄膜的高耐久性有机阻变存储器(ORSM).ORSM表现出非易失型和双极性存储特性,电流开关比(Ion/off)超过104,耐久性高达400次,保持时间为105 s,Vset和Vreset分别为-6.9 V和2.6 V.器件的阻变机理是陷阱电荷的俘获与去俘获,即负偏压或正偏压诱导电荷陷阱的填充和抽离过程,导致电荷传输方式的改变,从而产生高低电阻间的切换.器件的高耐久性一方面是由于O-DCB较小的分子尺寸和较好的溶解性形成了均匀分布且稳定的电荷陷阱,另一方面是由于O-DCB较好的分子平面促进了其与P3HT共轭链的相互作用.该研究为高耐久性ORSM的实现提供了一种有效途径,加快了 ORSM的商业化应用进程.

关键词：有机阻变存储器、聚合物/小分子复合薄膜、分子平面性、高耐久性

所属期刊栏目：72

分类号：TB332;TQ325.14;O631

资助基金：山西省应用基础研究计划项目;山西省高等学校科技创新项目;大同市工业攻关项目;山西省研究生教育创新项目;山西大同大学研究生教育创新项目;山西大同大学研究生教育创新项目;资助的课题

在线出版日期：2023-03-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：283-292