H+离子辐照Y0.5Gd0.5Ba2Cu3O7–δ超导层中的缺陷演化

摘要：

为提高RE-Ba-Cu-O涂层导体在强磁场下的超导载流能力,本文采用离子辐照的方式拟在RE-Ba-Cu-O涂层导体产生缺陷以引入磁通钉扎中心.实验利用320 kV高电荷态离子综合研究平台对RE-Ba-Cu-O第二代高温超导带材进行H+离子辐照,进一步采用多普勒展宽慢正电子束分析及拉曼光谱技术研究了剂量在5.0×1014—1.0×1016 ions/cm2范围内H+离子辐照后RE-Ba-Cu-O带材的微观结构的变化规律.研究结果表明,随H+离子辐照剂量增大,Y0.5Gd0.5Ba2Cu3O7–d超导层中产生了包括空位或空位团簇型等类型缺陷,缺陷增多,缺陷类型复杂性增加;涂层中氧原子发生重排,Cu-O面间距增加,涂层正交相结构被破坏.此类离子辐照产生的缺陷为磁通钉扎中心的引入奠定基础.

关键词：第二代高温超导带材、离子辐照、正电子湮没、空穴

所属期刊栏目：71

分类号：O562.1;TM26;O484.2

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;西物创新行动计划;资助的课题

在线出版日期：2022-12-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：369-374